Loading...

Category Archives: Новости микроэлектроники

В России создан новый источник экстремального ультрафиолетового излучения (ЭУФ)

Ученые из Национального исследовательского университета МЭИ (НИУ«МЭИ»)* создали новый источник экстремального ультрафиолетового излучения (ЭУФ) добавив лития в гелиевый плазменный заряд. Эта разработка позволит усовершенствовать методы литографии микрочипов, уменьшив их размеры и увеличив скорость, говорится в заявлении МЭИ (НИУ«МЭИ»). В МЭИ разработаны экспериментальные образцы источников экстремального ультрафиолетового излучения. Эксперименты с добавлением лития в разряды гелиевой плазмы […]

Список

close