Ученые из Национального исследовательского университета МЭИ (НИУ«МЭИ»)* создали новый источник экстремального ультрафиолетового излучения (ЭУФ) добавив лития в гелиевый плазменный заряд. Эта разработка позволит усовершенствовать методы литографии микрочипов, уменьшив их размеры и увеличив скорость, говорится в заявлении МЭИ (НИУ«МЭИ»).
В МЭИ разработаны экспериментальные образцы источников экстремального ультрафиолетового излучения. Эксперименты с добавлением лития в разряды гелиевой плазмы показали возможность создания источников света в устойчивом состоянии, необходимых для методов ЭУФ -литографии, используемых в микроэлектронике для уменьшения характерных размеров элементов схемы, что приводит к повышению скорости и уменьшению размеров изделий».
Экспериментальный комплекс и источник излучения на его основе разработаны коллективом ученых на кафедре общей физики и ядерного синтеза НИУ «МЭИ». Отмечается, что новый источник имеет повышенный КПД по сравнению с существующими источниками ЭУФ-излучения.
«Новые решения, разработанные нашими учеными, направлены на создание отечественного производства элементов интегральных схем для микроэлектроники и связаны с задачами технологического суверенитета России», — отметил ректор НИУ «МЭИ» Николай Рогалев, его слова приводятся в сообщении.
*Национальный исследовательский университет «МЭИ» — ведущий вуз России в области энергетики, электротехники, радиотехники, электроники и информационных технологий.